Samsungの新主力SSD「840 EVO」を高速化したターボ技術に迫る

コンシューマー向けの主力SSDをモデルチェンジ

手にしているブラックのSSDが「Samsung SSD 840 EVO」

　Samsung Electronicsは7月18日、韓国ソウルにて「2013 Samsung SSD Global Summit」を開催した。世界各国のプレス／ブロガーを集めた大規模なイベントだ。同社はそのメインイベントともいえるB2C（コンシューマー向け）セッションにおいて、2.5インチSerial ATA SSDの新製品「Samsung SSD 840 EVO」を発表した。ワールドワイドで8月上旬の発売を予定している。

　同社のコンシューマー向けSSDラインアップは、フラッグシップの「Samsung SSD 840 PRO」とメインストリーム向けの「Samsung SSD 840」の2種類を販売中だが、今回発表された840 EVOは840の後継だ。840 PROの下位に位置付けられる。

　840 EVOは最新のトリプルコアコントローラと新プロセスルール製造のNANDフラッシュメモリを採用するほか、新たな高速化技術により、従来の840を大幅に上回る性能を実現した。最大1Tバイトモデルを用意するなど、豊富な容量バリエーションや低消費電力も特徴だ。

　幅広いユーザー層を想定しており、コストへの意識も強いモデルだが、性能だけ見てもひとくちに「廉価版」と片付けることができないほどの進化を遂げている。

発表会場に展示されていたSamsung SSD 840 EVO。カラーリングは「Samsung SSD 830」以来のブラックとオレンジのツートーンではなく、ブラック単色となっている。厚さは約7ミリ、インタフェースはSerial ATA 6Gbpsだ

会場にはOEM向け、エンタープライズ製品も展示しており、M.2を採用したPCI ExpressインタフェースのSSDも見られた（写真＝左）。業界に先駆けてM.2／PCI ExpressインタフェースのSSDを出荷したことも告知された（写真＝右）。採用製品の1つであるソニーの「VAIO Pro 13」（VAIOオーナーメードモデル）を展示し、性能の違いをアピールしていた

最新のコントローラ＆NANDフラッシュを採用

　発表会セッションで登壇したジョナサン・ダ・シルバ氏は、840 EVOの性能について、一般ユーザーの利用シーンにおいて効果の高いQD＝1のランダムリードで10000IOPS（Input Output Per Second）を達成したこと、そしてシーケンシャルライト性能が高速（250Gバイトモデル以上は520Mバイト／秒）であることを強調した。

　ARMベース（Cortex-R4コア）のトリプルコアコントローラが300MHzの「MDX」から400MHzの「MEX」に進化し、ファームウェアも一新されているほか、NANDフラッシュメモリも21ナノメートルから19ナノメートルへと微細化している。

　キャッシュ（LPDDR2）の容量は、750G／1Tバイトモデルで1Gバイトの大容量を確保。250G／500Gバイトモデルは512Mバイト、120Gバイトモデルは256Mバイトだ。

B2Cセッションで登壇し、Samsung SSD 840 EVOの発表を行ったブランドプロダクトマーケティング担当マネージャーのジョナサン・ダ・シルバ氏（写真＝左）。従来の840と840 EVOのコンポーネントの違いを示したスライド。コアクロック400MHzの新型トリプルコアコントローラ「MEX」、NANDフラッシュは19ナノメートルプロセスルール製造の3ビットMLCを採用する（写真＝右）

840 EVOにおける性能の強調ポイントの1つが、QD＝1のランダムアクセス性能が高いことで、Windowsユーザーの一般的なPC用途で重要な要素という（写真＝左）。840 EVOはシーケンシャルライトの性能も大幅に向上している（写真＝右）

※記事初出時、容量の表記に一部誤りがありました。おわびして訂正いたします（2013年7月19日14時30分）