NANDフラッシュには新しいアプローチが必要
Samsung Electronicsが韓国ソウルで開催したSSDのプレスイベント「2014 Samsung SSD Global Summit」では、新製品である「Samsung SSD 850 PRO」の発表に先立ち、3次元構造のNANDフラッシュメモリ「3D V-NAND」の技術解説や市場トレンドについて講演が行なわれた。
- 発表会リポートはこちら→ Samsung、3次元NAND採用で10年保証の「SSD 850 PRO」を発表
- レビューはこちら→ 「Samsung SSD 850 PRO」徹底検証——“3D V-NAND”で10年保証を実現した先進SSDの実力は?
開会の挨拶を行なったキム・オンス氏に続いて登壇したジム・エリオット氏は、ITマーケットのトレンドについて解説。ノートPC、スマートフォン、タブレットなどのモバイルデバイスの普及、SNSの浸透などによって、モバイルのデータトラフィックが爆発的に増加しており、それに伴い、ITストレージの容量要求も上昇し続けていると紹介した。
こうしたモバイルデータ爆発の時代において、省電力、省スペースかつハイパフォーマンスなNANDフラッシュメモリは、最適なソリューションであるという。
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実際にNANDフラッシュメモリは、PC、サーバ、スマートフォン、家電製品などさまざまな機器に搭載されている。その容量ニーズも増え続けており、SSDを中心に今後もさらに増えると予測した。
そのうえで、同社がNANDフラッシュメモリ、SSDのいずれもトップシェアを獲得しているリーディングカンパニーであることを強調。これまでに市場のニーズに応えるため、プロセスルールの微細化とともに、MLC、TLC(3ビットMLC)といった新たな技術を業界の先頭に立っていち早く導入し、成功させてきたと主張した。
一方で、同氏が指摘するのが、NANDフラッシュメモリにおける記録密度向上のスピードが鈍化し、収益性が下降傾向にあることだ。このまま従来のプロセスルールの微細化を続けても生産設備などに莫大なコストがかかる割に、記録密度の向上は限界が見えており、NANDフラッシュメモリには新しい挑戦、新しいアプローチが求められていることを強調した。
その新しいアプローチこそが、NANDフラッシュメモリの3次元構造化、そして同社が実用化してSSD 850 PROに初採用した「3D V-NAND」というわけだ。
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