NANDフラッシュには新しいアプローチが必要
Samsung Electronicsが韓国ソウルで開催したSSDのプレスイベント「2014 Samsung SSD Global Summit」では、新製品である「Samsung SSD 850 PRO」の発表に先立ち、3次元構造のNANDフラッシュメモリ「3D V-NAND」の技術解説や市場トレンドについて講演が行なわれた。
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開会の挨拶を行なったキム・オンス氏に続いて登壇したジム・エリオット氏は、ITマーケットのトレンドについて解説。ノートPC、スマートフォン、タブレットなどのモバイルデバイスの普及、SNSの浸透などによって、モバイルのデータトラフィックが爆発的に増加しており、それに伴い、ITストレージの容量要求も上昇し続けていると紹介した。
こうしたモバイルデータ爆発の時代において、省電力、省スペースかつハイパフォーマンスなNANDフラッシュメモリは、最適なソリューションであるという。
キム・オンス氏（ブランドプロダクトマーケティングチームの担当上級副社長）は、2014 Samsung Global Summitにて開会の挨拶を行なった（写真＝左）。続いて登壇したジム・エリオット氏（メモリマーケティングの担当副社長）は、モバイルデータ爆発の時代に向け、NANDフラッシュメモリの容量／記録密度向上における新しいアプローチの必要性を説いた（写真＝右）
PC、スマートフォン、IOT（Internet of Things）とIT市場が拡大し、2020年には500億デバイスに達する見込み（写真＝左）。1日にFacebookは87億ページが更新され、Kakao Talkは50億メッセージがやりとりされ、Twitterでは5億ツイートが書き込まれているという（写真＝右）
モバイルデータのトラフィックは成長を続け、2018年には10億以上のデバイスがインターネットに接続され、190Eバイト（エクサバイト）にも上るデータがやりとりされる見込み（写真＝左）。190Eバイトという数字がいかにすごいか？ 例えば、人類誕生から2003年までに作られたデータの合計が5Eバイトであるという（写真＝右）。また、1Eバイトは、HD動画1万3300年分、電子書籍4.7兆冊分に相当する
2011年から2020年までの10年でモバイルトラフィックは100倍に、ITストレージは21倍の容量になると予想される（写真＝左）。省電力、省スペース、ハイパフォーマンスなNANDフラッシュは、モバイルデータ爆発の時代に最適なソリューションである（写真＝右）実際にNANDフラッシュメモリは、PC、サーバ、スマートフォン、家電製品などさまざまな機器に搭載されている。その容量ニーズも増え続けており、SSDを中心に今後もさらに増えると予測した。
そのうえで、同社がNANDフラッシュメモリ、SSDのいずれもトップシェアを獲得しているリーディングカンパニーであることを強調。これまでに市場のニーズに応えるため、プロセスルールの微細化とともに、MLC、TLC（3ビットMLC）といった新たな技術を業界の先頭に立っていち早く導入し、成功させてきたと主張した。
一方で、同氏が指摘するのが、NANDフラッシュメモリにおける記録密度向上のスピードが鈍化し、収益性が下降傾向にあることだ。このまま従来のプロセスルールの微細化を続けても生産設備などに莫大なコストがかかる割に、記録密度の向上は限界が見えており、NANDフラッシュメモリには新しい挑戦、新しいアプローチが求められていることを強調した。
その新しいアプローチこそが、NANDフラッシュメモリの3次元構造化、そして同社が実用化してSSD 850 PROに初採用した「3D V-NAND」というわけだ。
NANDフラッシュ容量の需要はこれからも上昇し続け、中でもSSDの容量需要が伸びると予測する（写真＝左）。SSD容量需要の成長について、2018年にはPC市場で4.7倍、エンタープライズ／データセンター向けで8.4倍に伸びると予測する（写真＝右）
同社は、NANDフラッシュメモリ市場で34.7％、SSD市場では46.6％ものシェアを獲得しているリーディングカンパニーであるとアピール（写真＝左）。NANDフラッシュ／SSDのリーディングカンパニーとして市場のニーズに応え続けてきた。2006年、世界初のSSD搭載PCに32GバイトSLCのSSDを提供した際のGバイト単価は約14ドルだった（写真＝右）
2008年には世界初のMLC SSDを投入（写真＝左）。当時の容量は128GバイトでGバイト単価は約5.1ドルだった。2012年には世界初の3ビットMLC（TLC）SSDをリリース（写真＝右）。当時最大容量は500Gバイト、Gバイト単価は0.79ドルまで下げることに成功した。当時は信頼性に疑問を持たれていたが、現在までの実績が証明していると胸を張った
その一方で、記録密度の向上ペースは鈍化している（写真＝左）。微細化を続けていくには大きな投資コストが必要になり、その投資の割に得られる記録密度向上のリターンが少ない。NANDフラッシュには新しいアプローチが求められているとした。その新しいアプローチが3次元構造であり、同社が世界に先駆けて実用化した3D V-NANDだ（写真＝右）Copyright© 2014 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.